哈工大再立功！公布重要光刻机技术

缺乏完整的芯片制造技术和产业链是悬在中国科技企业头上的“达摩克利斯之剑”。

近两年，芯片的生产设备和相关技术的封锁严重限制了国内科技的发展，其中最受大众关注的就是 5G 通信技术。

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随着国内在芯片制造技术上的不断投入和技术攻关，部分关键技术已经获得了突破。

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在 2022 年年底举办的世界光子大会上，国内高校哈尔滨工业大学研发的“高速超精密激光干涉仪”荣获首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜金奖。

根据哈工大新闻网的消息，该项目希望解决制约我国高端装备发展和量子化计量基准等前沿研究的“卡脖子”问题，获得发明专利 113 项（其中国际专利 6 项），制定相关标准 2 项。仪器整体技术达到国际先进水平，3 项关键技术处于国际领先。并且，“高速超精密激光干涉仪”已实现了小批量生产。

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超精密激光干涉仪是 EUV 光刻机的核心技术之一，能够实现国内自主小批量生产，说明国外对国内的技术封锁正在逐步瓦解。

高速超精密激光干涉仪是光刻机核心部件

光刻机主要包括：光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台，对光刻机的产片率很大影响。

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在光刻机技术的发展中，工件台由单工件台发展为双工件台，从气浮发展为磁浮、激光干涉仪发展为面光栅的过程。

哈工大的高速超精密激光干涉仪填补了国内相关领域的空白，达到了商用水准。

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据称，该设备已成功应用于我国 350nm 至 28nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域，可以对光刻机中双工件台的多维运动进行线位移、角位移同步测量与解耦，以满足掩模工件台、硅片工件台和投影物镜之间日益复杂的相对位置/姿态测量需求，进而保证光刻机整体套刻精度。

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近期备受关注的国内首个 28nm DUV 光刻机的推出也有哈工大高速超精密激光干涉仪的影子。

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国内芯片制造业领先企业上海微电子在年前就爆出已实现 28nm DUV 光刻机的研发，预计在 2023 年实现国产 28nm DUV 光刻机批量交付。该 DUV 光刻机就使用了哈工大高速超精密激光干涉仪相关技术。

别担心，哈工大会出手

哈工大是一所硬核高等院校无疑。除去高速超精密激光干涉仪外，哈工大在光刻机关键技术上的研发还包括 EUV 极紫外光源。

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当前，EUV 光刻机设备研究领域主要有两种光源技术方向，一种是 DPP-EUV 光刻机，主要通过放电激发等离子体产生极紫外线光源，还有一种则是 LPP-EUV 光刻机设备，主要采用高功率激光加热负载（Xe 或 Sn）形成等离子体，然后再通过等离子体辐射出紫外线光源。

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而目前荷兰光刻机巨头所采用的则是 DPP-EUV 技术，哈工大所采用的也是 DPP-EUV 技术，并且哈工大在十多年前就已经开始研究这一技术。

由于高校的研究相较于市场超前，且在经济全球化的趋势下，国内企业更推崇“造不如买”的理念。

哈工大在 EUV 极紫外光源的研究在当时的环境下没有商用的土壤，但对 EUV 极紫外光源的研究从未中断。如今相关研究在芯片技术封锁下走向前台。

结语

光刻机核心技术的突破是值得欢欣鼓舞的，但光刻机结构复杂，要实现完全自主可控、达到国际领先水平，仍然需要走相当长的一段路程。

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当前国内企业所经历的是黎明前的黑暗。

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